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二元掩模版也稱(chēng)為雙極型掩模，是指由透光與不透光兩種部分組成的光掩模版，是目前最廣泛的光罩產(chǎn)品，其廣泛用于365nm（I線(xiàn)）至193nm（ArF）的光刻工藝中，可覆蓋的制程為130nm及以上的工藝節(jié)點(diǎn)。

OPC（Optical Proximity Correction）即光學(xué)鄰近效應(yīng)修正技術(shù)，是一種光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)。在芯片制造過(guò)程中，當(dāng)關(guān)鍵圖形的尺寸小于光源的波長(zhǎng)時(shí)，光的衍射效應(yīng)導(dǎo)致掩模投影至硅片上的圖案邊緣失真嚴(yán)重，因此需要對(duì)掩模圖案進(jìn)行設(shè)計(jì)上的修正和補(bǔ)償，以此提高晶圓曝光時(shí)的圖形分辨率與圖像準(zhǔn)確度。公司目前可應(yīng)用多項(xiàng) OPC 技術(shù)，并與客戶(hù)密切合作，開(kāi)發(fā)符合客戶(hù)工藝要求的 OPC 光罩。

PSM（Phase Shift Mask）即相移掩模技術(shù)，其通過(guò)MOSi層產(chǎn)生180°的相位差，可以降低光的衍射作用，提高光罩圖形的分辨率，增大焦深。公司初步研發(fā)了180nm工藝節(jié)點(diǎn)關(guān)鍵層的PSM掩模版技術(shù)，并將與客戶(hù)密切合作，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)符合要求的PSM掩模版。